英特尔[INTC]宣布了其下一代芯片的详细信息，该芯片是使用32nm工艺制造的，该过程将于2009年末开始销售 - 芯片的晶体管切换了22％，导致处理器比当前的45nm发电小得多。
晶体管采用了英特尔的不寻常的“高K”设计，可以改善其性能：这将二氧化硅交换为晶体管绝缘层中的hafnium，并将金属掺入其他组件中，而不是硅。这些新芯片首次使用液体膜浸入光刻过程 - 膜改善了光刻过程的显微镜分辨率。英特尔的竞争对手在上一代芯片中改用了该技术，但英特尔将其保留在32nm芯片上，其尺寸较小和新设计会导致比以前的45nm芯片更低的功耗和更快的速度。
同时，该公司揭示了改善的45nm低功率芯片，其现有45nm流程的变化是在一个行业中略有不同寻常的举动，在该行业中，通常在产品范围内使用相同的制造工艺可以节省成本。当然，这些芯片是直接针对的上网本处理器市场，该市场目前由英特尔现有的原子量低功率芯片主导。
似乎不断增长的上网本市场以及摩尔衰老的法律将在未来几年内保持健康。
[通过WSJ这是给予的